DiodesZetex P沟道增强型MOS管, 160 mA, SOIC, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 246-6844
- 制造商零件编号:
- DMP65H20D0HSS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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- RS 库存编号:
- 246-6844
- 制造商零件编号:
- DMP65H20D0HSS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 160 mA | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 20 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 160 mA | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 20 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
DiodesZetex 制造 P 通道增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 SO-8 封装。它提供快速切换和高效率。
最大排放到源电压为 600 V，最大门到源电压为 ±30 V，提供低接通电阻，具有 高 BVDSS 额定值，适用于电源应用，提供低输入电容