DiodesZetex , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=30 V, UDFN-2020, 表面安装, 6引脚
- RS Stock No.:
- 246-6868
- Mfr. Part No.:
- DMT3020UFDB-7
- Brand:
- DiodesZetex
Bulk discount available
Subtotal (1 reel of 3000 units)*
¥4,404.00
(exc. VAT)
¥4,977.00
(inc. VAT)
有库存
- 另外 3,000 件在 2025年12月15日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB1.468 | RMB4,404.00 |
| 15000 + | RMB1.439 | RMB4,317.00 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 246-6868
- Mfr. Part No.:
- DMT3020UFDB-7
- Brand:
- DiodesZetex
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | UDFN-2020 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.03Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| 最大功耗 Pd | 0.86W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 UDFN-2020 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.03Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.8nC | ||
最大功耗 Pd 0.86W | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
DiodesZetex 生产的双 N 通道增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封装和 0.6mm 外形，使其特别适用于薄型应用。它提供快速切换和高效率。其 100% 无夹电感切换可确保更可靠且坚固的终端应用。
最大排放到源电压为 30 V，最大门到源电压为 ±12 V，具有 4mm^2 的 印刷电路板印迹， 提供低门临界电压，提供 ESD 保护门