DiodesZetex P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 9 A, PowerDI5060-8., 表面安装, 8引脚

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246-6879
制造商零件编号:
DMT36M1LPS-13
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

9A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerDI5060-8.

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.025Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

8 V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

1.73W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

1mm

长度

6.15mm

标准/认证

No

宽度

5.15 mm

汽车标准

AEC-Q101

DiodesZetex 制造 N 通道增强模式 MOSFET,设计用于最大程度地减少接通状态电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的切换性能,使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备,完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 powerDI5060-8 封装。它提供快速切换和高效率。其 100% 无夹电感切换可确保更可靠且坚固的终端应用。它具有出色的 Qgd xRDS(ON) 产品 (FOM) 和用于直流-直流转换的先进技术。

最大排放到源电压为 30 V,最大门到源电压为 ±20 V,它提供小型的热因子和高效封装,允许更高密度的终端产品,它仅占用 SO-8 占用的板面积的 33%,允许更小的终端产品