DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 12.1 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 246-6889
- 制造商零件编号:
- DMT68M8LSS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-6889
- 制造商零件编号:
- DMT68M8LSS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12.1 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.012 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12.1 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 0.012 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
DiodesZetex 制造 N 通道增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 SO-8 封装。它提供快速切换和高效率。其 100% 无夹电感切换可确保更可靠且坚固的终端应用。工作温度范围 -55°C 至 +150°C。
最大排放到源电压为 60 V，最大门到源电压为 ±20 V，提供低接通电阻，具有低门临界电压，提供 ESD 保护门