DiodesZetex , 2 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, U-DFN2030, 6引脚, DMN2014LHAB-13
- RS 库存编号:
- 246-7508
- 制造商零件编号:
- DMN2014LHAB-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | RMB2.784 | RMB69.60 |
| 500 - 975 | RMB2.70 | RMB67.50 |
| 1000 - 2475 | RMB2.619 | RMB65.48 |
| 2500 + | RMB2.54 | RMB63.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-7508
- 制造商零件编号:
- DMN2014LHAB-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | U-DFN2030 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 0.8W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±12 V | |
| 正向电压 Vf | 0.75V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 U-DFN2030 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 0.8W | ||
最大栅源电压 Vgs ±12 V | ||
正向电压 Vf 0.75V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
DiodesZetex 制造新一代双 N 通道增强模式 MOSFET，它设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 U-DFN2030-6 封装。它提供快速切换和高效率。工作温度范围 -55°C 至 +150°C。它提供低输入电容和快速切换速度。
最大排放到源电压为 20 V，最大门到源电压为 ±16 V，它提供低接通电阻和低门临界电压 ESD 保护门