DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 1 A, X2-DFN, 表面安装, 3引脚, DMN2451UFB4-7B, DMN系列
- RS 库存编号:
- 246-7512
- 制造商零件编号:
- DMN2451UFB4-7B
- 制造商:
- DiodesZetex
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- RS 库存编号:
- 246-7512
- 制造商零件编号:
- DMN2451UFB4-7B
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | X2-DFN | |
| 系列 | DMN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 700mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 900mW | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 0.65 mm | |
| 高度 | 0.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 1.05mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 X2-DFN | ||
系列 DMN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 700mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.3nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 900mW | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 0.65 mm | ||
高度 0.4mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 1.05mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
DiodesZetex 制造 N 通道增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 U-DFN1006-3 封装和 0.6mm 外形，使其特别适用于薄型应用。它提供快速切换和高效率。其 100% 无夹电感切换可确保更可靠且坚固的终端应用。
最大排放到源电压为 20 V，最大门到源电压为 ±12 V，具有 4mm^2 的印刷电路板印迹， 提供低门临界电压，提供 ESD 保护门