DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 11 A, UDFN-2020, 表面安装, 6引脚, DMN29M9UFDF-7

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制造商零件编号:
DMN29M9UFDF-7
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

11A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

UDFN-2020

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

41mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.73W

最大栅源电压 Vgs

8 V

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

0.63mm

宽度

2.05 mm

长度

2.05mm

汽车标准

AEC-Q101

DiodesZetex 制造 N 通道增强模式 MOSFET,设计用于最大程度地减少接通状态电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的切换性能,使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备,完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封装和 0.6mm 外形,使其特别适用于薄型应用。它提供快速切换和高效率。其 100% 无夹电感切换可确保更可靠且坚固的终端应用。

最大排放到源电压为 20 V,最大门到源电压为 ±12 V,具有 4mm^2 的印刷电路板印迹, 提供低门临界电压,提供 ESD 保护门