DiodesZetex , 2 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=50 V, SOT-563, 表面安装, 6引脚, DMN53D0LV-7
- RS 库存编号:
- 246-7518
- 制造商零件编号:
- DMN53D0LV-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB1.928 | RMB48.20 |
| 50 - 75 | RMB1.87 | RMB46.75 |
| 100 - 225 | RMB1.814 | RMB45.35 |
| 250 - 975 | RMB1.76 | RMB44.00 |
| 1000 + | RMB1.707 | RMB42.68 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-7518
- 制造商零件编号:
- DMN53D0LV-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 50V | |
| 包装类型 | SOT-563 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 1.5 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| 最大功耗 Pd | 430mW | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 50V | ||
包装类型 SOT-563 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 1.5 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.6nC | ||
最大功耗 Pd 430mW | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
DiodesZetex 生产的双 N 沟道 MOSFET，旨在最大限度地减小导通电阻 (RDS(ON)) ，同时保持卓越的开关性能，是高效电源管理应用的理想之选。具有切换速度快和输入/输出泄漏低的特点。超小型表面贴装，高达 2KV 的 ESD 保护。
超低导通电阻 栅极阈值电压低 输入电容低