DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 4 A, PowerDI3333-8, 表面安装, 8引脚, DMN6069SFVW-7, DMN系列
- RS 库存编号:
- 246-7519
- 制造商零件编号:
- DMN6069SFVW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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| 50 - 75 | RMB2.808 | RMB70.20 |
| 100 - 225 | RMB2.724 | RMB68.10 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-7519
- 制造商零件编号:
- DMN6069SFVW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | DMN | |
| 包装类型 | PowerDI3333-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.73W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 长度 | 2.7mm | |
| 宽度 | 2 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 DMN | ||
包装类型 PowerDI3333-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最大功耗 Pd 1.73W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.85mm | ||
长度 2.7mm | ||
宽度 2 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
DiodesZetex 制造 N 通道增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 powerDI3333-8 封装。它提供快速切换和高效率。
最大排放到源电压为 60 V，最大门到源电压为 ±20 V，具有小型外形和高热效封装，可实现更高密度的终端产品，具有小型外形和高热效封装，可实现更高密度的终端产品，用于增强光学检验的可湿侧面