DiodesZetex P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 160 mA, SOIC, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 246-7535P
- 制造商零件编号:
- DMP65H20D0HSS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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- RS 库存编号:
- 246-7535P
- 制造商零件编号:
- DMP65H20D0HSS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 160mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 12V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 1.73W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 3.85 mm | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.45mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 160mA | ||
最大漏源电压 Vd 12V | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 20mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 1.73W | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 3.85 mm | ||
长度 4.9mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.45mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
DiodesZetex 制造 P 通道增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 SO-8 封装。它提供快速切换和高效率。
最大排放到源电压为 600 V，最大门到源电压为 ±30 V，提供低接通电阻，具有 高 BVDSS 额定值，适用于电源应用，提供低输入电容