DiodesZetex , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=60 V, PowerDI5060-8., 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 246-7559P
- 制造商零件编号:
- DMT69M9LPDW-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-7559P
- 制造商零件编号:
- DMT69M9LPDW-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerDI5060-8. | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0168Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 33.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerDI5060-8. | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0168Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33.5nC | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
DiodesZetex 提供双 N 通道增强模式 MOSFET，它设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 TO252 封装。它提供快速切换和高效率。其 100% 无夹电感切换可确保更可靠且坚固的终端应用。工作温度范围 -55°C 至 +150°C。
最大排放到源电压为 60 V，最大门到源电压为 ±16 V，提供低接通电阻和快速切换速度，提供可湿侧面，用于改进光学检验，热效率封装特别适用于更冷的运行应用