onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 58 A, TO-247, 通孔安装, 4引脚, NTH4L060N065SC1, NTH系列
- RS 库存编号:
- 248-5816
- 制造商零件编号:
- NTH4L060N065SC1
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 248-5816
- 制造商零件编号:
- NTH4L060N065SC1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 58A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | NTH | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 22mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 117W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 74nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 58A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 NTH | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 22mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 117W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 74nC | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，44 mohm，650 V，M2，TO-247-4L
ON Semiconductor 碳化硅（SiC）MOSFET 是 N 通道 MOSFET，漏极到源极电压为 650 V，功率耗散为 176 W，TO247-4L 封装，此设备不含卤化物，符合 RoHS 的豁免 7a，无铅 2LI。
超低栅极电荷 74 nC
低电容 133 pF
100% 经雪崩测试
温度 175°C
RDS（on）44 欧姆