onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 58 A, DFN-5, 通孔安装, 5引脚, NTMFS002N10MCLT1G, NTM系列
- RS 库存编号:
- 248-5822
- 制造商零件编号:
- NTMFS002N10MCLT1G
- 制造商:
- onsemi
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- 248-5822
- 制造商零件编号:
- NTMFS002N10MCLT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 58A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | NTM | |
| 包装类型 | DFN-5 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 22mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 117W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 45nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 58A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 NTM | ||
包装类型 DFN-5 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 22mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 117W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ON Semiconductor MOSFET 是 N 通道 MOSFET，漏极至源极电压为 100 V，RDS（ON）2.8 mohm，连续漏极电流为 175 A，这些设备不含铅、不含卤素/BFR、不含铍，符合 RoHS 标准。
小尺寸（5x6 mm），设计紧凑
低 RDS（on），可最大程度减少导电损耗
低 QG 和电容，可最大程度减少驱动器损耗