onsemi SiC 电源模块, Vds=1200 V, F1-2PACK, 通孔安装, NXH010P120MNF1PTG
- RS 库存编号:
- 248-5824
- 制造商零件编号:
- NXH010P120MNF1PTG
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商零件编号:
- NXH010P120MNF1PTG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | SiC 电源模块 | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | F1-2PACK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 SiC 电源模块 | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 F1-2PACK | ||
安装类型 通孔 | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
SiC 模块 - EliteSiC 2-PACK 半桥拓扑，1,200 V，10 mohm SiC M1 MOSFET 压接引脚，热接口材料
ON Semiconductor 是一个电源模块，包含一个 10 MΩ/1200 V SiC MOSFET 半桥和一个热敏电阻，采用 F1 封装。
10 mohm/1200 V SiC MOSFET 半桥接
带预涂热界面材料和不带预涂 TIM 的选项
Press-Fit 引脚