Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=75 V, 52 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, IMW120R007M1HXKSA1, IMW系列
- RS 库存编号:
- 248-6665
- 制造商零件编号:
- IMW120R007M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 248-6665
- 制造商零件编号:
- IMW120R007M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 52A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 系列 | IMW | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 52A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
系列 IMW | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 N | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolSiC 1200 V、7 mΩ SiC MOSFET 采用 TO247-3 封装，采用最先进的沟槽半导体工艺，是性能与可靠性的良好结合，包括在 1200 V 开关中看到的最低栅极电荷和设备电容水平，内部换向证明体二极管无反向恢复损耗。CoolSiC MOSFET 是硬开关和谐振开关拓扑结构的理想选择，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑结构和 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器。
VDSS - T - 25°C 时为 1200 V
IDCC - T - 25°C 时为 225 A
RDS（on） - VGS - 18 V、T - 25°C 时为 7 MΩ
非常低的切换损耗
基准门限电压，VGS（th） - 4.2 V
对寄生性开启的稳健性，可应用 0V 的关断门电压
用于硬换向的稳健体二极管
XT 互连技术实现了同类最佳的热性能