制造商编号

Infineon N沟道MOS管, Vds=1200 V, 98 A, TO-247-4, 通孔安装, 4引脚

RS 库存编号:: 248-6678
制造商零件编号:: IMZA120R020M1HXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOS管, Vds=1200 V, 98 A, TO-247-4, 通孔安装, 4引脚

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RS 库存编号:: 248-6678
制造商零件编号:: IMZA120R020M1HXKSA1
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Datasheet - IMZA120R020M1HXKSA1

Infineon CoolSiC 1200 V、20 mΩ SiC MOSFET 采用 TO247-4 封装，采用最先进的沟槽半导体工艺，是性能与可靠性的良好结合，包括在 1200 V 开关中看到的最低栅极电荷和设备电容水平，内部换向证明体二极管无反向恢复损耗。CoolSiC MOSFET 是硬开关和谐振开关拓扑结构的理想选择，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑结构和 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器。

VDSS - T - 25°C 时为 1200 V
IDCC - T - 25°C 时为 98 A
RDS（on） - VGS - 18 V、T - 25°C 时为 19 MΩ
非常低的切换损耗
短路耐受时间 3 微秒
基准门限电压，VGS（th） - 4.2 V
对寄生性开启的稳健性，可应用 0V 的关断门电压
用于硬换向的稳健体二极管
XT 互连技术实现了同类最佳的热性能

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	98 A
	最大漏源电压	1200 V
	封装类型	TO-247-4
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	每片芯片元件数目	1

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 98 A
	最大漏源电压 1200 V
	封装类型 TO-247-4
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	每片芯片元件数目 1

Infineon N沟道MOS管, Vds=1200 V, 98 A, TO-247-4, 通孔安装, 4引脚

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