Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=75 V, 64 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, IMBG65R022M1HXTMA1, IMBG系列
- RS Stock No.:
- 248-9311
- Mfr. Part No.:
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
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Units | Per unit |
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- RS Stock No.:
- 248-9311
- Mfr. Part No.:
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 64A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 系列 | IMBG | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 64A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
系列 IMBG | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
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卓越的
栅极氧化可靠性,Tj,最大 -175°C 和出色的热性行为,
较低的 RDS(接通)和脉冲电流依赖温度,
增强的浪涌能力,
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容,Kelvin 源提供高达 4 倍低的切换损耗