Infineon N沟道MOS管, Vds=650 V, 39 A, TO-263-7, 贴片安装, 7引脚
- RS 库存编号:
- 248-9319P
- 制造商零件编号:
- IMBG65R057M1HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB55.58 |
| 100 - 249 | RMB53.92 |
| 250 - 499 | RMB52.31 |
| 500 + | RMB50.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 248-9319P
- 制造商零件编号:
- IMBG65R057M1HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 39 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO-263-7 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 39 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO-263-7 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 7 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
英飞凌 SiC MOSFET 是一款 650 V CoolSiC，基于固体碳化硅技术，利用宽带隙 SiC 材料特性，650 V CoolSiC MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的独特组合，适用于在高温和恶劣环境中操作，可实现最高系统效率的简化和具有成本效益的部署。
更高电流时的优化切换行为,
切换坚固的快速主体二极管,具有低 Qf,
卓越的
栅极氧化可靠性,Tj,最大 -175°C 和出色的热性行为,
较低的 RDS(接通)和脉冲电流依赖温度,
增强的浪涌能力,
与标准驱动器兼
容,Kelvin 源提供高达 4 倍低的切换损耗
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增强的浪涌能力,
与标准驱动器兼
容,Kelvin 源提供高达 4 倍低的切换损耗