Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=75 V, 64 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, IMBG系列

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包装方式：
RS 库存编号:
248-9321P
制造商零件编号:
IMBG65R072M1HXTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

64A

最大漏源电压 Vd

75V

系列

IMBG

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

英飞凌 SiC MOSFET 是一款 650 V CoolSiC，基于固体碳化硅技术，利用宽带隙 SiC 材料特性，650 V CoolSiC MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的独特组合，适用于在高温和恶劣环境中操作，可实现最高系统效率的简化和具有成本效益的部署。

更高电流时的优化切换行为,

切换坚固的快速主体二极管,具有低 Qf,

卓越的

栅极氧化可靠性,Tj,最大 -175°C 和出色的热性行为,

较低的 RDS(接通)和脉冲电流依赖温度,

增强的浪涌能力,

与标准驱动器兼

容,Kelvin 源提供高达 4 倍低的切换损耗

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