STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 55 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP系列
- RS 库存编号:
- 248-9686
- 制造商零件编号:
- STP60N043DM9
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB71.742 | RMB3,587.10 |
| 100 - 100 | RMB70.307 | RMB3,515.35 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 248-9686
- 制造商零件编号:
- STP60N043DM9
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | STP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 45mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大功耗 Pd | 245W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | UL | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 长度 | 28.9mm | |
| 宽度 | 10.4 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 STP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 45mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大功耗 Pd 245W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 UL | ||
高度 4.6mm | ||
长度 28.9mm | ||
宽度 10.4 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics 产品是基于最具创新性的超结 MDmesh DM9 技术的 N 通道功率 MOSFET，适用于具有很低单位面积 RDS 和快速恢复二极管的中高压 MOSFET。硅基 DM9 技术受益于多漏制造工艺，可实现增强型器件结构。快速恢复二极管具有很低的恢复电荷、时间和导通 RDS，确保该快速开关超结功率 MOSFET 可适用于最具挑战性的高效桥接拓扑和 ZVS 相移变换器。
快速恢复体二极管
达到硅基快速恢复二极管单位面积导通 RDS 全球最具水平
低栅极电荷、输入电容和电阻
100% 雪崩测试，
极佳 dv/dt 性能