ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 10.7 A, TO-220, 3引脚, R6515KNX3系列

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249-1119
制造商零件编号:
R6515KNX3C16
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

10.7A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

R6515KNX3

包装类型

TO-220

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.7mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

104W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

27.5nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

30 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

Pb-Free Plating, RoHS

汽车标准

ROHM 高速切换 N 沟道 650 V , 15 A 漏极电流功率 MOSFET 是注重高效率的高速切换产品,超结 MOSFET ,此系列产品通过高速切换实现更高效率, h

低接通电阻

超快切换

易于并行使用

无铅电镀

符合 RoHS

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。