ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 10.7 A, TO-220, 3引脚, R6520KNX3系列
- RS 库存编号:
- 249-1121
- 制造商零件编号:
- R6520KNX3C16
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计（1 管，共 1000 件）*
¥14,597.00
(不含税)
¥16,495.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年5月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 1000 - 4000 | RMB14.597 | RMB14,597.00 |
| 5000 + | RMB14.305 | RMB14,305.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-1121
- 制造商零件编号:
- R6520KNX3C16
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | R6520KNX3 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 40nC | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 10.7A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 R6520KNX3 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 40nC | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 高速切换 N 沟道 650 V ， 20 A 漏极电流功率 MOSFET 是注重高效率的高速切换产品，超结 MOSFET ，此系列产品通过高速切换实现更高效率， h
低接通电阻
超快切换
易于并行使用
无铅电镀
符合 RoHs