制造商编号

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=10.7 A, 3针, TO-263, RCJ451N20系列

RS 库存编号:: 249-1134
制造商零件编号:: RCJ451N20TL
制造商:: ROHM

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=10.7 A, 3针, TO-263, RCJ451N20系列

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RS 库存编号:: 249-1134
制造商零件编号:: RCJ451N20TL
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	10.7A
	最大漏源电压 Vd	200V
	系列	RCJ451N20
	包装类型	TO-263
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	2.7mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大功耗 Pd	104W
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 10.7A
	最大漏源电压 Vd 200V
	系列 RCJ451N20
	包装类型 TO-263
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 2.7mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大功耗 Pd 104W
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - RCJ451N20TL

ROHM N 沟道功率 MOSFET 具有低接通电阻和快速切换速度，适用于开关应用，具有 200 V 漏 - 源电压和 45 A 漏极电流，封装类型为胶带。

低接通电阻

快速切换速度

易于并行使用

无铅电镀

符合 RoHs

经过 100% 雪崩测试

可简单驱动电路

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