Infineon P型, N型沟道双线型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=115 A, 7针, PG HSOF-7, BTN99x0LV系列

RS 库存编号:: 249-3347P
制造商零件编号:: BTN9990LVAUMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型, N型沟道双线型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=40 V, Id=115 A, 7针, PG HSOF-7, BTN99x0LV系列

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RS 库存编号:: 249-3347P
制造商零件编号:: BTN9990LVAUMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型, N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	115A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	BTN99x0LV
	包装类型	PG HSOF-7
	安装类型	表面安装
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	9.6mΩ
	通道模式	双线
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	150°C
	晶体管配置	半桥和全桥 (2X) 配置
	标准/认证	AEC-Q100/Q006 (Grade 1)
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	AEC-Q006, AEC-Q100

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型, N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 115A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 BTN99x0LV
	包装类型 PG HSOF-7
	安装类型表面安装
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 9.6mΩ
	通道模式双线
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 150°C
	晶体管配置半桥和全桥 (2X) 配置
	标准/认证 AEC-Q100/Q006 (Grade 1)
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准 AEC-Q006, AEC-Q100

Datasheet - BTN9990LVAUMA1

Infineon BTN99x0LV 系列 MOSFET,40V 最大漏源电压,115A 最大连续漏电流 - BTN9990LVAUMA1

这款 MOSFET 是一款双通道晶体管,专为汽车环境中的开关和桥接配置而设计。它支持半桥式和全桥式排列,并采用PG HSOF-7封装,适用于需要紧凑型双元件电源设备的模块。该设备可在宽温度范围内运行,符合汽车级标准,适用于车辆系统。

特性和优点：

• 适用于常见汽车系统电压的最大漏电电压为40V
• 115A 连续漏电流,适用于高电流开关
• 9.6mΩ Rds(on),可降低传导损耗
• ±20V 栅极容差,可保护栅极电路
• 双 N 和 P 通道布局,支持互补级别
• 最高工作温度为150°C,适用于散热区

应用

• 适用于车辆中的半桥和全桥功率级别
• 适用于汽车系统中的直流电机驱动变频器级别
• 在 H 桥接中与互补 P 和 N 沟道配置配合使用
• 可用于电池管理中的高电流切换
• 用于需要汽车级组件的功率级

这款设备在运行过程中可承受哪些极端温度?

它可在 -40°C 和高达 150°C 的温度下工作。

每个芯片上有多少晶体管元件?

每个芯片包含两个以双通道设备形式排列的元件。

它在板安装和导热方面使用什么封装?

该组件采用PG HSOF-7封装。

它满足了哪些汽车认证水平?

它符合 AEC-Q100 和 AEC-Q006 汽车级认证。