Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 143 A, HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT系列
- RS 库存编号:
- 249-3352
- 制造商零件编号:
- IPT054N15N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2000 件）*
¥36,146.00
(不含税)
¥40,844.00
(含税)
暂时缺货
- 2,000 件在 2025年12月15日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | RMB18.073 | RMB36,146.00 |
| 4000 - 4000 | RMB17.711 | RMB35,422.00 |
| 6000 + | RMB17.357 | RMB34,714.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-3352
- 制造商零件编号:
- IPT054N15N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 143A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | IPT | |
| 包装类型 | HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 143A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 IPT | ||
包装类型 HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon Optimos 5 功率 MOSFET 是 N 沟道 MOSFET，具有非常低的导通电阻和卓越的热阻。此设备不含 Pb（铅）和卤素。它采用表面安装、PG-HSOF-8 封装。
Vds（漏极至源极电压）为 150 V
Rds（最大接通）为 5.4 毫欧姆，ID 是 143 A
Qdss 和 Qg 值分别为 155 nC 和 55 nC