Microchip N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=3300 V, 104 A, TO-247, 通孔安装, MSC025SMA330B4, MSC25SMA330B4系列

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249-4128
制造商零件编号:
MSC025SMA330B4
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

104A

最大漏源电压 Vd

3300V

包装类型

TO-247

系列

MSC25SMA330B4

安装类型

通孔

最大漏源电阻 Rd

8mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1.8V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

Microchip 的 MOSFET-SiC-3300V 是 SiC MOSFET 设备最新系列的一部分。Microchip 的 SiC 解决方案专注于高性能,有助于最大程度地提高系统效率并最大程度地减少系统重量和尺寸。Microchip 久经考验的 SiC 可靠性还可确保在终端设备的使用寿命内不会出现性能下降。此设备是快速且可靠的主体二极管,具有出色的浪涌强度。

低电容和低栅极电荷

由于内部测量电阻(ESR)低,开关速度快

在 175 度的高接点温度下工作稳定

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。