STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=35 V, Id=80 A, 3针, TO-252, STD系列

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RS 库存编号:
249-6744
制造商零件编号:
STD80N240K6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

35V

包装类型

TO-252

系列

STD

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.01mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

30V

最大功耗 Pd

70W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

2.4mm

标准/认证

UL

宽度

6.6mm

长度

10.1mm

汽车标准

AEC-Q101

STMicroelectronics 是超高电压 N 沟道 Power MOSFET，采用基于超级结技术的终极网状 K6 技术设计。为需要卓越的功率密度和高效率的应用提供了同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷。

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