STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=35 V, Id=80 A, 3针, TO-252, STD系列

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RS 库存编号:
249-6745
制造商零件编号:
STD80N240K6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

35V

包装类型

TO-252

系列

STD

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.01mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

70W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14nC

最大栅源电压 Vgs

30V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

175°C

高度

2.4mm

标准/认证

UL

长度

10.1mm

宽度

6.6mm

汽车标准

AEC-Q101

STMicroelectronics 是超高电压 N 沟道 Power MOSFET，采用基于超级结技术的终极网状 K6 技术设计。为需要卓越的功率密度和高效率的应用提供了同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷。

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