STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=35 V, 80 A, TO-252, 通孔安装, 3引脚, STD系列
- RS 库存编号:
- 249-6745P
- 制造商零件编号:
- STD80N240K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB32.61 |
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| 250 - 499 | RMB29.45 |
| 500 + | RMB27.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-6745P
- 制造商零件编号:
- STD80N240K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 35V | |
| 系列 | STD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.01mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 70W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 宽度 | 6.6 mm | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 标准/认证 | UL | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 35V | ||
系列 STD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.01mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 70W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.1mm | ||
宽度 6.6 mm | ||
高度 2.4mm | ||
标准/认证 UL | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics 是超高电压 N 沟道 Power MOSFET，采用基于超级结技术的终极网状 K6 技术设计。为需要卓越的功率密度和高效率的应用提供了同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷。
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