Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=75 V, 230 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 249-6869
- 制造商零件编号:
- AUIRF6215
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 管，共 50 件）*
¥927.75
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB18.555 | RMB927.75 |
| 100 - 100 | RMB16.70 | RMB835.00 |
| 150 + | RMB15.029 | RMB751.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-6869
- 制造商零件编号:
- AUIRF6215
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 230A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 230A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌 HEXFET 功率 MOSFET 采用最新加工技术，实现了低每硅面积导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速切换和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员在汽车和各种其他应用中带来了一款超高效和可靠的器件。
高级加工技术
低导通电阻
动态 dv/dt 额定值
工作温度 175 °C
快速开关