Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 195 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, AUIRFB8409, AUIRFS系列

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RS 库存编号:
249-6872
制造商零件编号:
AUIRFB8409
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

195A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

AUIRFS

包装类型

TO-220

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌 HEXFET 功率 MOSFET 采用最新加工技术,实现了低每硅面积导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速切换和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员在汽车和各种其他应用中带来了一款超高效和可靠的器件。

高级加工技术

低导通电阻

动态 dv/dt 额定值

工作温度 175 °C

快速开关