Infineon N型沟道 半桥 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 45 A, SuperSO8 5 x 6, 8引脚, IAUC45N04S6L063H系列

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RS 库存编号:
249-6883
制造商零件编号:
IAUC45N04S6L063HATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

45A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IAUC45N04S6L063H

包装类型

SuperSO8 5 x 6

引脚数目

8

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±16 V

正向电压 Vf

1.1V

最大功耗 Pd

41W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13nC

晶体管配置

半桥

最高工作温度

175°C

标准/认证

AEC Q101, RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 是用于汽车应用的功率 MOSFET。工作沟道为 N。符合 AEC Q101 标准。MSL1 峰值回焊温度达 260 °C。绿色产品(符合 RoHS),100% 雪崩测试。

工作温度 175 ℃