Infineon N型沟道 半桥 增强型 功率晶体管, Vds=40 V, 45 A, SuperSO8 5 x 6, 8引脚, OptiMOSTM系列, IAUC45N04S6N070HATMA1

可享批量折扣

小计(1 包,共 5 件)*

¥49.07

(不含税)

¥55.45

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 4,505 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
5 - 5RMB9.814RMB49.07
10 - 95RMB9.324RMB46.62
100 - 245RMB8.856RMB44.28
250 - 495RMB8.412RMB42.06
500 +RMB7.994RMB39.97

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
249-6887
制造商零件编号:
IAUC45N04S6N070HATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

功率晶体管

最大连续漏极电流 Id

45A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

OptiMOSTM

包装类型

SuperSO8 5 x 6

引脚数目

8

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

9nC

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

41W

晶体管配置

半桥

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 是用于汽车应用的功率 MOSFET。工作沟道为 N。符合 AEC Q101 标准。MSL1 峰值回焊温度达 260 °C。绿色产品(符合 RoHS),100% 雪崩测试。

工作温度 175 ℃