Infineon N型沟道 半桥 N型 功率 MOSFET, Vds=40 V, 60 A, SuperSO8 5 x 6, 8引脚, OptiMOS-TM6系列
- RS Stock No.:
- 249-6888
- Mfr. Part No.:
- IAUC60N04S6L030HATMA1
- Brand:
- Infineon
Bulk discount available
Subtotal (1 reel of 5000 units)*
¥29,860.00
(exc. VAT)
¥33,740.00
(inc. VAT)
暂时缺货
- 在 2026年4月27日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | RMB5.972 | RMB29,860.00 |
| 10000 - 10000 | RMB5.852 | RMB29,260.00 |
| 15000 + | RMB5.677 | RMB28,385.00 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6888
- Mfr. Part No.:
- IAUC60N04S6L030HATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 系列 | OptiMOS-TM6 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 75W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 晶体管配置 | 半桥 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
系列 OptiMOS-TM6 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 75W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
晶体管配置 半桥 | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 是用于汽车应用的功率 MOSFET。工作沟道为 N。符合 AEC Q101 标准。MSL1 峰值回焊温度达 260 °C。绿色产品（符合 RoHS），100% 雪崩测试。
工作温度 175 ℃