制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=30 A, 8针, PQFN, IAUZ系列

RS 库存编号:: 249-6897
制造商零件编号:: IAUZ30N06S5L140ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=30 A, 8针, PQFN, IAUZ系列

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RS 库存编号:: 249-6897
制造商零件编号:: IAUZ30N06S5L140ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	30A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	PQFN
	系列	IAUZ
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	14mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	81W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.3V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 30A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 PQFN
	系列 IAUZ
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 14mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 81W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.3V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IAUZ30N06S5L140ATMA1

Infineon OptiMOS 是用于汽车应用的功率 MOSFET。工作沟道为 N。符合 AEC Q101 标准。MSL1 峰值回焊温度达 260 °C。绿色产品（符合 RoHS），100% 雪崩测试。

工作温度 175 ℃

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