Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=40 A, 8针, PQFN, IAUZ系列
- RS 库存编号:
- 249-6900P
- 制造商零件编号:
- IAUZ40N06S5N050ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 95 | RMB4.266 |
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| 250 - 495 | RMB4.098 |
| 500 + | RMB4.016 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-6900P
- 制造商零件编号:
- IAUZ40N06S5N050ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | IAUZ | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 IAUZ | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon IAUZ 系列 MOSFET,最大漏源电压 60V,最大连续漏电流 40A - IAUZ40N06S5N050ATMA1
这款 MOSFET 是一款 N 通道增强装置,专为表面贴装应用中的高电流开关而设计。它能在宽温度范围内运行,适用于需要紧凑功率处理和高耐热性能的应用场景。该设备符合环境限制要求,并采用高效 PQFN 封装,经优化用于自动安装。
特性和优点：
• 5mΩ Rds(on),可降低传导损耗
• 60V Vds 支持中等电压功率级
• 40A 连续电流可处理高负载切换
• 81W 功耗，支持持续的热负载
• 80 nC 典型栅极电荷,可满足可预测的驱动需求
• 60V Vds 支持中等电压功率级
• 40A 连续电流可处理高负载切换
• 81W 功耗，支持持续的热负载
• 80 nC 典型栅极电荷,可满足可预测的驱动需求
应用
• 适用于汽车配电模块
• 适用于直流-直流转换器输出级
• 用于紧凑型系统中的电机驱动半桥
• 可用于电源的同步整流
• 用于在宽温度范围内进行工业切换
• 适用于直流-直流转换器输出级
• 用于紧凑型系统中的电机驱动半桥
• 可用于电源的同步整流
• 用于在宽温度范围内进行工业切换
这款设备需要考虑哪些栅极驱动因素?
能够在选定的 Vgs 电平下提供约 80 nC 的栅极驱动器可确保可靠的开关定时和可预测的转换损耗。
热环境对持续电流能力有何影响？
81W 耗散额定值需要足够的 PCB 热管理和热通道,以承受高连续电流,而不超过接点温度限制。
栅极有哪些电压和极性限制？
栅极驱动与源相比不得超过 ±20V,以避免损坏栅极氧化物。
在工业环境中,它能承受的温度范围是多少?
其工作温度范围为-55°C至175°C,可在恶劣和高温环境中使用。