Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=75 V, 80 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, iPB系列
- RS Stock No.:
- 249-6905
- Mfr. Part No.:
- IPB80N08S2L07ATMA1
- Brand:
- Infineon
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- RS Stock No.:
- 249-6905
- Mfr. Part No.:
- IPB80N08S2L07ATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
75V,N 通道,6.8 mΩ 最大值,汽车 MOSFET,D2PAK,OptiMOSTM
Infineon OptiMOS 是用于汽车应用的功率 MOSFET。操作通道为 N。它符合 AEC Q101 认证。MSL1 高达 260°C 峰值回流。绿色产品(符合 RoHS 标准),经过 100% Avalanche 测试。
功能摘要
• N 通道逻辑级别 - 增强模式
• 汽车 AEC Q101 认证
• MSL1 高达 260°C 峰值回流
• 工作温度 175°C
• 绿色封装(无铅)
• 超低 Rds(on)
• 100%的Avalanche测试
福利
• 75V(接通)时,全球最低 RDS 在平面技术中
• 最高电流容量
• 最低的开关和导电功耗,可实现最高热效率
• 坚固的封装,具有卓越的质量和可靠性
• 优化的总门充电允许更小的驱动器输出阶段
潜在应用
• 阀门控制
• 电磁阀控制
• 照明
• 单端电动机