制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=90 A, 3针, TO-252, IPD系列

RS 库存编号:: 249-6912
制造商零件编号:: IPD90N06S405ATMA2
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=90 A, 3针, TO-252, IPD系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 卷，共 2500 件）*

RMB13,795.00

(不含税)

RMB15,587.50

(含税)

有库存

另外 5,000 件在 2026年9月14日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每卷*
2500 - 2500	RMB5.518	RMB13,795.00
5000 - 5000	RMB5.408	RMB13,520.00
7500 +	RMB5.245	RMB13,112.50

* 参考价格

RS 库存编号:: 249-6912
制造商零件编号:: IPD90N06S405ATMA2
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	90A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	IPD
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.7mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.3V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大功耗 Pd	81W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 90A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 IPD
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.3V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大功耗 Pd 81W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPD90N06S405ATMA2

Infineon OptiMOS 是用于汽车应用的功率 MOSFET。工作沟道为 N。符合 AEC Q101 标准。MSL1 峰值回焊温度达 260 °C。绿色产品（符合 RoHS），100% 雪崩测试。

工作温度 175 ℃

相关链接