Infineon , 2 N型沟道 双 N 沟道逻辑电平增强模式 N型 MOSFET, Vds=60 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6, 8引脚, OptiMOSTM-T2系列, IPG20N06S4L26ATMA1
- RS 库存编号:
- 249-6921
- 制造商零件编号:
- IPG20N06S4L26ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 100 - 245 | RMB5.166 | RMB25.83 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-6921
- 制造商零件编号:
- IPG20N06S4L26ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOSTM-T2 | |
| 包装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V | |
| 最大功耗 Pd | 33W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 晶体管配置 | 双 N 沟道逻辑电平增强模式 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOSTM-T2 | ||
包装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±16 V | ||
最大功耗 Pd 33W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
晶体管配置 双 N 沟道逻辑电平增强模式 | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 是用于汽车应用的功率 MOSFET。工作沟道为 N。符合 AEC Q101 标准。MSL1 峰值回焊温度达 260 °C。绿色产品（符合 RoHS），100% 雪崩测试。
工作温度 175 ℃