Infineon N沟道MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=20 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, OptiMOSTM-T2系列

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包装方式：
RS 库存编号:
249-6921
制造商零件编号:
IPG20N06S4L26ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

20A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

OptiMOSTM-T2

包装类型

SuperSO8 5 x 6

安装类型

表面安装

引脚数目

8

通道模式

N

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

16V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

33W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

最高工作温度

175°C

晶体管配置

双 N 沟道逻辑电平增强模式

标准/认证

RoHS Compliant

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 是用于汽车应用的功率 MOSFET。工作沟道为 N。符合 AEC Q101 标准。MSL1 峰值回焊温度达 260 °C。绿色产品（符合 RoHS），100% 雪崩测试。

工作温度 175 ℃

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