Infineon N沟道MOS管, Vds=1700 V, 9.8 A, TO-263-7, 贴片安装, 7引脚
- RS 库存编号:
- 249-6949
- 制造商零件编号:
- IMBF170R450M1XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-6949
- 制造商零件编号:
- IMBF170R450M1XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9.8 A | |
| 最大漏源电压 | 1700 V | |
| 封装类型 | TO-263-7 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9.8 A | ||
最大漏源电压 1700 V | ||
封装类型 TO-263-7 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 7 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon 碳化硅 MOSFET 减少系统复杂性。它可直接从回程控制器驱动。提高效率和减少冷却工作。支持更高频率。
革命性半导体材料 - 碳化硅优化
适用于回程拓扑
12V/0V 门源电压，与大多数回转控制器兼容
非常低的切换损耗
基准门临界电压，VGS(th) = 4.5V
完全可控制 dV/dt，可用于 EMI 优化
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