Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 64 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, IMBF系列

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RS 库存编号:
249-6949
制造商零件编号:
IMBF170R450M1XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

64A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

IMBF

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

1.7mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

Infineon 碳化硅 MOSFET 减少系统复杂性。它可直接从回程控制器驱动。提高效率和减少冷却工作。支持更高频率。

革命性半导体材料 - 碳化硅优化

适用于回程拓扑

12V/0V 门源电压,与大多数回转控制器兼容

非常低的切换损耗

基准门临界电压,VGS(th) = 4.5V

完全可控制 dV/dt,可用于 EMI 优化