Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 64 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, IMBF系列
- RS 库存编号:
- 249-6950P
- 制造商零件编号:
- IMBF170R450M1XTMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
¥452.40
(不含税)
¥511.20
(含税)
有库存
- 596 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB45.24 |
| 100 - 249 | RMB42.98 |
| 250 - 499 | RMB40.82 |
| 500 + | RMB38.79 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-6950P
- 制造商零件编号:
- IMBF170R450M1XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 64A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | IMBF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 64A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 IMBF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 碳化硅 MOSFET 减少系统复杂性。它可直接从回程控制器驱动。提高效率和减少冷却工作。支持更高频率。
革命性半导体材料 - 碳化硅优化
适用于回程拓扑
12V/0V 门源电压，与大多数回转控制器兼容
非常低的切换损耗
基准门临界电压，VGS(th) = 4.5V
完全可控制 dV/dt，可用于 EMI 优化