Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=64 A, 7针, TO-263, IMBF系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

RMB423.40

(不含税)

RMB478.40

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 354 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
10 - 99RMB42.34
100 - 249RMB40.23
250 - 499RMB38.21
500 +RMB36.31

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
249-6950P
制造商零件编号:
IMBF170R450M1XTMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

64A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

IMBF

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

1.7mΩ

通道模式

N

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon IMBF 系列 MOSFET,100V 漏源电压,64A 连续漏电流 - IMBF170R450M1XTMA1


这款 MOSFET 是一款高电流 N 通道晶体管,专为表面安装组件中的电源开关而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于严苛环境,并在需要强大的栅极驱动控制的系统中提供低传导损耗和可靠的功率处理。

特性和优点：


• 1.7mΩ 的低导通电阻可减少传导损耗和热量
• 100V 漏源额定值支持中等电压开关应用
• 64A 连续漏电流支持高电流功率级
• 81W 功耗,可实现持久热负载
• 80nC 典型栅极电荷,可在适度驱动下实现高效切换
• 20V 栅极-源极限为坚固的栅极驱动设计提供了空间

应用


• 适用于工业电源的DCDC转换器
• 适用于电力电子系统中的电机驱动阶段
• 用于大电流电池管理中的负载切换
• 可用于电源转换器中的同步整流
• 适用于紧凑型板上的表面贴装电源模块

快速切换需要考虑哪些栅极驱动因素?


使用能够为 80nC 栅极电荷供电和供电的驱动器,在管理切换损耗的同时实现所需的 dV/dt。

在设计中应如何处理热管理?


TO-263 封装下提供足够的 PCB 铜面积和热通道,以消除连续运行期间的 81W 接点损耗。

哪些限制可保护设备免受过度栅极电压的影响?


将栅极驱动振幅保持在最大 20V 栅极源电压范围内,以避免栅极氧化应力和可能的设备故障。

工作温度范围对应用选择有何影响?


-55°C 至 175°C 温度范围允许在极低或高环境温度环境中部署,而其他组件可能不适合使用。

相关链接