Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 18 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, IMBG系列
- RS 库存编号:
- 249-6951
- 制造商零件编号:
- IMBG120R140M1HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-6951
- 制造商零件编号:
- IMBG120R140M1HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | IMBG | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 IMBG | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 碳化硅 MOSFET 减少系统复杂性。它可直接从回程控制器驱动。提高效率和减少冷却工作。支持更高频率。
非常低的开关损耗；
短路耐受时间 3 μs；
完全可控制 dV/dt；
基准门临界电压，VGS(th) = 4.5V；
耐寄生接通，可应用
0V 关闭门电压；稳定的主体二极管，可用于硬切换；
XT 互连技术，提供同类最佳的热性能；
封装弯曲和间隙距离 >6.1mm；
感应引脚，用于优化切换性能