Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TSDSON, 表面安装, 8引脚, IAUC系列
- RS 库存编号:
- 249-8630
- 制造商零件编号:
- IAUZ40N06S5L050ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-8630
- 制造商零件编号:
- IAUZ40N06S5L050ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | IAUC | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 IAUC | ||
包装类型 TSDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 60V ， N 沟道， 5 兆欧汽车 MOSFET 采用 OptiMOS 5 技术，适用于 60V MOSFET ，采用工业标准 S3O8 3 mm x 3 mm 小尺寸封装，具有领先的性能，可提供低 RDSon ， QG 和栅极电容，并最大程度减少传导和开关损耗。
用于汽车应用的 OptiMOS 功率 MOSFET
N 沟道，增强模式，逻辑电平
认证范围超过 AEC-Q101 标准
增强型电气测试
坚固的设计
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
经过 100% 雪崩测试