Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=120 A, 8针, TSDSON, IAUC系列

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RS 库存编号:
249-8630
制造商零件编号:
IAUZ40N06S5L050ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TSDSON

系列

IAUC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 60V ， N 沟道， 5 兆欧汽车 MOSFET 采用 OptiMOS 5 技术，适用于 60V MOSFET ，采用工业标准 S3O8 3 mm x 3 mm 小尺寸封装，具有领先的性能，可提供低 RDSon ， QG 和栅极电容，并最大程度减少传导和开关损耗。

用于汽车应用的 OptiMOS 功率 MOSFET

N 沟道，增强模式，逻辑电平

认证范围超过 AEC-Q101 标准

增强型电气测试

坚固的设计

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）

经过 100% 雪崩测试

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