Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 100 A, ag- EASY2B, 螺钉接线端子安装, 8引脚, IAUZ系列

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包装方式:
RS 库存编号:
250-0218P
制造商零件编号:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

ag- EASY2B

系列

IAUZ

安装类型

螺钉接线端子

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 2B 1200 V/8 mΩ 3 电平模块,采用具有增强型第 1 代沟槽技术的 CoolSiC™ MOSFET、集成 NTC 温度传感器、预涂热界面材料和 PressFIT 触点技术。

高电流密度

低开关损耗

利用集成式安装夹可实现牢固安装

集成 NTC 温度传感器

PressFIT 触点技术

预涂热界面材料