Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 400 A, AG-EASY3B, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 250-0223P
- 制造商零件编号:
- FF2MR12W3M1HB11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0223P
- 制造商零件编号:
- FF2MR12W3M1HB11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 400A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | AG-EASY3B | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.44mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -10 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 60747, 60749 and 60068 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 400A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 AG-EASY3B | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.44mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -10 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 60747, 60749 and 60068 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon Half bridge CoolSiC MOSFET EasyDUAL™ 3B 1200 V / 1.44 mΩ 半桥模块，采用具有增强型第 1 代沟槽技术的 CoolSiC™ MOSFET、集成 NTC 温度传感器和 PressFIT 触点技术。
低切换损耗
高电流密度
低电感设计
PressFIT 触点技术
集成 NTC 温度传感器
利用集成式安装夹可实现牢固安装