Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, -0.39 A, US, 表面安装, 6引脚, BSD223PH6327XTSA1, BSD系列
- RS 库存编号:
- 250-0521P
- 制造商零件编号:
- BSD223PH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 90 | RMB1.273 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0521P
- 制造商零件编号:
- BSD223PH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -0.39A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | BSD | |
| 包装类型 | US | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -0.39A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 BSD | ||
包装类型 US | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 高度创新的 OptiMOS™ 系列包括带超级逻辑电平的增强模式 mosfet。它具有雪崩和 dv/dt 等级。它提供快速切换。该设备无铅和无卤。Vds 是 -20 V，Rds（on）是 1.2 Ω，ID 是 -0.39 A。
始终满足高质量和性能要求
具有出色的通态电阻和优势特性