Infineon , 2 N型, P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 0.95 A, US, 6引脚, BSD235C系列

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包装方式:
RS 库存编号:
250-0523P
制造商零件编号:
BSD235CH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型, P型

最大连续漏极电流 Id

0.95A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

BSD235C

包装类型

US

引脚数目

6

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±12 V

最大功耗 Pd

0.5W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌生产的这种20V 互补 P + N 沟道型广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。这种增强型模式 mosfet 提供超级逻辑电平(2.5V额定值)。该器件具有雪崩等级且100%无铅。

超逻辑电平,额定值为2.5 V

工作温度为150°C