Infineon , 2 P型沟道 双N 双N型 OptiMOSTM2 小信号晶体管, Vds=20 V, 0.88 A, US, 6引脚, BSD840N系列
- RS 库存编号:
- 250-0525
- 制造商零件编号:
- BSD840NH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0525
- 制造商零件编号:
- BSD840NH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | OptiMOSTM2 小信号晶体管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 0.88A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | US | |
| 系列 | BSD840N | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 双N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| 最大功耗 Pd | 400mW | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双N | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 OptiMOSTM2 小信号晶体管 | ||
最大连续漏极电流 Id 0.88A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 US | ||
系列 BSD840N | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 双N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.26nC | ||
最大功耗 Pd 400mW | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双N | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, RoHS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 小信号 N 沟道产品适用于汽车应用。此器件是 OptiMOS 2 小信号晶体管。双 N 沟道型增强模式。该器件提供超逻辑电平（额定电压为1.8V）且为雪崩等级。
增强模式和无铅镀层
Vds为20V，Id为0.88A