Infineon N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=40 V, 0.12 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, BSP系列

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包装方式:
RS 库存编号:
250-0532P
制造商零件编号:
BSP149H6906XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

0.12A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SOT-223

系列

BSP

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

消耗

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

81W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 使 N 通道衰减模式小信号 MOSFET 晶体管广泛用于高切换应用。它具有雪崩等级和无卤。它是 dv/dt 等级,卷轴上有 VGS(th)指示器。VDS 为200 V,RDS(接通)最大值为 3.5 Ω,IDSS最小值为 0.14 A。

无铅镀层且无卤

采用 SOT233封装