Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=0.12 A, 3针, SOT-223, BSP系列

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RS 库存编号:
250-0533
制造商零件编号:
BSP296NH6433XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

0.12A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOT-223

系列

BSP

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

81W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌制造的OptiMOS小信号晶体管是一个N沟道型、增强模式 且逻辑电平 额定值为4.5V。它具有雪崩等级，100% 无铅且无卤。

雪崩额定值且100%无铅

Vds为100 V且Id为1.2 A

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